RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FH1 8GB
Сравнить
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB против Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FH1 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FH1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
12.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FH1 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
77
Около -157% меньшая задержка
Выше скорость записи
5.9
2,622.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FH1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
77
30
Скорость чтения, Гб/сек
3,405.2
12.4
Скорость записи, Гб/сек
2,622.0
5.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
763
1758
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FH1 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRK 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FH1 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology BL32G32C16U4BL.M16FB 32GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Crucial Technology CT51264BC160B.M16F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRGC 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston 9905668-001.A00G 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Transcend Information JM3200HLE-16G 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link