RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N190A 16GB
Сравнить
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB против Essencore Limited KD4AGU88C-26N190A 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Средняя оценка
Essencore Limited KD4AGU88C-26N190A 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
16.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Essencore Limited KD4AGU88C-26N190A 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
66
77
Около -17% меньшая задержка
Выше скорость записи
8.3
2,622.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
5300
Около 4.02 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N190A 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
77
66
Скорость чтения, Гб/сек
3,405.2
16.2
Скорость записи, Гб/сек
2,622.0
8.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
21300
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
763
1985
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N190A 16GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston KWTHG4-MIE 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMU32GX4M2D3200C16 16GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Avant Technology J641GU42J7240ND 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Kingston 9905624-025.A00G 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Corsair CMD8GX4M2B3200C16 4GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Kingston KHX2666C13/8GX 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston ACR24D4S7S8MB-8 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link