RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRB 4GB
Сравнить
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB против G Skill Intl F4-2133C15-4GRB 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2133C15-4GRB 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
13.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,622.0
10.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2133C15-4GRB 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
39
77
Около -97% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRB 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
77
39
Скорость чтения, Гб/сек
3,405.2
13.1
Скорость записи, Гб/сек
2,622.0
10.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
763
2574
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRB 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZPHSCR 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.8FE 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Corsair CMT16GX4M2Z3200C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston ACR26D4U9D8ME-16 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE1 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Corsair CMD64GX4M4C3000C15 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Corsair CMD32GX4M4B2400C10 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link