Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB против G Skill Intl F4-2400C15-8GVS 8GB

-->

Средняя оценка

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Средняя оценка

G Skill Intl F4-2400C15-8GVS 8GB

G Skill Intl F4-2400C15-8GVS 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Причины выбрать
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

3 16.5

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

2,622.0 12.0

Среднее значение в тестах

G Skill Intl F4-2400C15-8GVS 8GB

Причины выбрать
G Skill Intl F4-2400C15-8GVS 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

32 77

Около -141% меньшая задержка
Выше пропускная способность

17000 5300

Около 3.21 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

G Skill Intl F4-2400C15-8GVS 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

77 32
Скорость чтения, Гб/сек

3,405.2 16.5
Скорость записи, Гб/сек

2,622.0 12.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек

5300 17000

Other

Описание

PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 667 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

763 2974

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C

Kingston 9905665-009.A00G 4GB

Kingston 9905665-009.A00G 4GB

модули RAM

Kingston 9905403-447.A00LF 4GB

Kingston 9905403-447.A00LF 4GB

Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FD 8GB

Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FD 8GB

модули RAM

Kingston KHX2400C15/16G 16GB

Kingston KHX2400C15/16G 16GB

Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB

модули RAM

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB

G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB

G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB

модули RAM

Kingston KVR16N11/8-SP 8GB

Kingston KVR16N11/8-SP 8GB

Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB

Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB

модули RAM

Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB

Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB

Apacer Technology 78.C1GMS.C7Z0C 8GB

Apacer Technology 78.C1GMS.C7Z0C 8GB

модули RAM

Avant Technology F6451U64F9333G 4GB

Avant Technology F6451U64F9333G 4GB

Corsair CMR64GX4M8C3200C16 8GB

Corsair CMR64GX4M8C3200C16 8GB

модули RAM

G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB

G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB

G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB

G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB

модули RAM

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB

Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB

Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB

модули RAM

Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB

Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB

Hewlett-Packard 7EH99AA# 16GB

Hewlett-Packard 7EH99AA# 16GB

модули RAM

SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB

SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB

Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB

Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB

модули RAM

Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB

Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB

Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FAD 16GB

Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FAD 16GB

модули RAM

SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB

SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB

A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB

A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB

модули RAM

Kingston 9905403-444.A00LF 4GB

Kingston 9905403-444.A00LF 4GB

Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB

Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB

модули RAM