RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVS 8GB
Сравнить
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB против G Skill Intl F4-2666C15-8GVS 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2666C15-8GVS 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
18
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,622.0
13.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2666C15-8GVS 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
77
Около -175% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVS 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
77
28
Скорость чтения, Гб/сек
3,405.2
18.0
Скорость записи, Гб/сек
2,622.0
13.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
763
3080
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVS 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVS 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
Kingston 9905469-124.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFX 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston ASU21D4U5S8MB-8 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4RL.M8FE1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZKK 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FF 4GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FD 16GB
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Kingston 9905624-046.A00G 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston MSI24D4U7S8MH-8 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link