Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB против G Skill Intl F4-3000C14-8GVR 8GB

-->

Средняя оценка

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Средняя оценка

G Skill Intl F4-3000C14-8GVR 8GB

G Skill Intl F4-3000C14-8GVR 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Причины выбрать
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

3 18.2

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

2,622.0 14.0

Среднее значение в тестах

G Skill Intl F4-3000C14-8GVR 8GB

Причины выбрать
G Skill Intl F4-3000C14-8GVR 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

20 77

Около -285% меньшая задержка
Выше пропускная способность

17000 5300

Около 3.21 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

G Skill Intl F4-3000C14-8GVR 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

77 20
Скорость чтения, Гб/сек

3,405.2 18.2
Скорость записи, Гб/сек

2,622.0 14.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек

5300 17000

Other

Описание

PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 667 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

763 3359

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

G Skill Intl F4-3000C14-8GVR 8GB

G Skill Intl F4-3000C14-8GVR 8GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

G Skill Intl F4-3200C15-8GTZ 8GB

G Skill Intl F4-3200C15-8GTZ 8GB

модули RAM

Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB

Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB

Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB

Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB

модули RAM

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB

Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB

модули RAM

Kingston KVR800D2N6/2G 2GB

Kingston KVR800D2N6/2G 2GB

Kingston 9965640-004.C00G 16GB

Kingston 9965640-004.C00G 16GB

модули RAM

Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB

Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB

Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB

Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB

модули RAM

AMD AE34G1601U1 4GB

AMD AE34G1601U1 4GB

Kingston KHX2400C15S4/4G 4GB

Kingston KHX2400C15S4/4G 4GB

модули RAM

Kingston 9905469-153.A00LF 4GB

Kingston 9905469-153.A00LF 4GB

Corsair CMD32GX4M4A2666C16 8GB

Corsair CMD32GX4M4A2666C16 8GB

модули RAM

Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB

G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB

G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB

модули RAM

Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB

Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB

G Skill Intl F4-2400C15-16GFXR 16GB

G Skill Intl F4-2400C15-16GFXR 16GB

модули RAM

A-DATA Technology DDR3 1600 4GB

A-DATA Technology DDR3 1600 4GB

Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB

Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB

модули RAM

Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB

Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB

Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB

Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB

модули RAM

Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB

Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB

G Skill Intl F4-2133C15-4GVK 4GB

G Skill Intl F4-2133C15-4GVK 4GB

модули RAM

Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB

Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB

Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB

Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB

модули RAM