RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GVR 16GB
Сравнить
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB против G Skill Intl F4-3000C15-16GVR 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3000C15-16GVR 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
17.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,622.0
14.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3000C15-16GVR 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
77
Около -157% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GVR 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
77
30
Скорость чтения, Гб/сек
3,405.2
17.5
Скорость записи, Гб/сек
2,622.0
14.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
763
3520
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GVR 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK8GX4M1Z3600C18 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
EVGA 8GX-D4-3200-MR 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Kingston 9905702-150.A00G 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Kingston 9965589-017.D00G 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRS 8GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRG 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Kingston HP24D4U7S8MD-8 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link