RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
Сравнить
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB против G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
22
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,622.0
16.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
17
77
Около -353% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
77
17
Скорость чтения, Гб/сек
3,405.2
22.0
Скорость записи, Гб/сек
2,622.0
16.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
763
3704
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Apacer Technology 78.BAGNF.40C0B 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22S/8G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston 9965643-006.A01G 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Corsair CMSX4GX4M1A2400C16 4GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRG 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Avant Technology W641GU42J5213N3 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Corsair CMH32GX4M2Z3600C18 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GVK 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CMT32GX4M4C3600C18 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Kingston 9965669-032.A00G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link