RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Сравнить
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB против G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
16.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
71
77
Около -8% меньшая задержка
Выше скорость записи
8.1
2,622.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
77
71
Скорость чтения, Гб/сек
3,405.2
16.2
Скорость записи, Гб/сек
2,622.0
8.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
763
1979
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB Сравнения RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
PNY Electronics 64C0MHHHJ-HS 4GB
Crucial Technology CB16GS2400.C16J 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMW32GX4M4C3200C16 8GB
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M16FE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Transcend Information JM3200HLE-32G 32GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Corsair CMK32GX4M4A2133C13 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Kingston M378A1K43CB2-CRC 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMU32GX4M2C3200C16 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4300 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260MB78HAF2400 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMT32GX4M2C3200C14 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link