RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
Сравнить
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB против G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
18.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,622.0
17.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
77
Около -208% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
77
25
Скорость чтения, Гб/сек
3,405.2
18.7
Скорость записи, Гб/сек
2,622.0
17.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
763
4039
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Corsair CM4X8GD3600C18K2D 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Corsair CMR64GX4M8C3000C15 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMW16GX4M2C3600C18 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBD2 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240082 4GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADM 4GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3200 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link