RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB
Сравнить
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB против Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Средняя оценка
Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
17.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,622.0
17.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
77
Около -185% меньшая задержка
Выше пропускная способность
21300
5300
Около 4.02 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
77
27
Скорость чтения, Гб/сек
3,405.2
17.6
Скорость записи, Гб/сек
2,622.0
17.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
21300
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
763
3845
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMK8GX4M1E3200C16 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CMK16GX4M4B3400C16 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8JT 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Apacer Technology 78.C2GFL.C720B 8GB
Mushkin 996902 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C18 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
ISD Technology Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FJ 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBD2 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston KF3200C20S4/16GX 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMK64GX4M2E3200C16 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link