RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Сравнить
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB против Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Средняя оценка
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
23.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,622.0
19.0
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
77
Около -196% меньшая задержка
Выше пропускная способность
21300
5300
Около 4.02 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
77
26
Скорость чтения, Гб/сек
3,405.2
23.1
Скорость записи, Гб/сек
2,622.0
19.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
21300
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 3
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
763
4276
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB Сравнения RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Kingston KH280C14D4/8X 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMT32GX4M2E3200C16 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CM4X8GF2400C14K4 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Dust Leopard DDR4-2400 C16 8GB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FB 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
SK Hynix HMA84GR7JJR4N-VK 32GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK64GX4M4D3000C16 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Essencore Limited IM4AGU88A30-FGGHMB 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link