RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Golden Empire CL19-25-25 D4-4000 4GB
Сравнить
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB против Golden Empire CL19-25-25 D4-4000 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Средняя оценка
Golden Empire CL19-25-25 D4-4000 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
17.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,622.0
12.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Golden Empire CL19-25-25 D4-4000 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
77
Около -235% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Golden Empire CL19-25-25 D4-4000 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
77
23
Скорость чтения, Гб/сек
3,405.2
17.5
Скорость записи, Гб/сек
2,622.0
12.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
763
3037
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Golden Empire CL19-25-25 D4-4000 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180Z 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMW64GX4M2D3000C16 32GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Golden Empire CL19-25-25 D4-4000 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston KHX2133C14D4/4G 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FAD 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Essencore Limited KD48GU481-26N1600 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FE 8GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FA 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CM4X16GE2666Z16K4 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMR16GX4M2D3000C16 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link