RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
Сравнить
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB против Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Средняя оценка
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
14.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,622.0
10.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
39
77
Около -97% меньшая задержка
Выше пропускная способность
21300
5300
Около 4.02 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
77
39
Скорость чтения, Гб/сек
3,405.2
14.6
Скорость записи, Гб/сек
2,622.0
10.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
21300
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
763
2513
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB Сравнения RAM
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G36S8KBNRGB18 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston XN205T-MIE 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZ 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Apacer Technology 78.CAGQ7.ARC0B 8GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FH1 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Corsair CMK16GX4M2D3000C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZR 32GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FAD1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link