RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
ru
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Средняя оценка
star star star star star
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Причины выбрать
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
  • Выше скорость чтения
    3 left arrow 15.3
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    2,622.0 left arrow 11.2
    Среднее значение в тестах
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Сообщить об ошибке
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    27 left arrow 77
    Около -185% меньшая задержка
  • Выше пропускная способность
    21300 left arrow 5300
    Около 4.02 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR2 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    77 left arrow 27
  • Скорость чтения, Гб/сек
    3,405.2 left arrow 15.3
  • Скорость записи, Гб/сек
    2,622.0 left arrow 11.2
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    5300 left arrow 21300
Other
  • Описание
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • Тайминги / частота
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    763 left arrow 2545

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Сравнения RAM

takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB Сравнения RAM

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
модули RAM
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMW32GX4M4C3600C18 8GB
Corsair CMW32GX4M4C3600C18 8GB
модули RAM
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Corsair CMU32GX4M4A2666C16 8GB
Corsair CMU32GX4M4A2666C16 8GB
модули RAM
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
модули RAM
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB
модули RAM
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB
модули RAM
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
модули RAM
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666
модули RAM
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB
модули RAM
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-ON 8GB
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-ON 8GB
модули RAM
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
модули RAM
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-8 8GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-8 8GB
модули RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMK64GX4M2D3000C16 32GB
Corsair CMK64GX4M2D3000C16 32GB
модули RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
модули RAM