RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Сравнить
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
16.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,622.0
12.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
77
Около -196% меньшая задержка
Выше пропускная способность
21300
5300
Около 4.02 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
77
26
Скорость чтения, Гб/сек
3,405.2
16.2
Скорость записи, Гб/сек
2,622.0
12.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
21300
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
763
2955
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N-VK 16GB Сравнения RAM
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Mushkin 99[2/7/4]208F 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Kingston KHX2133C13S4/8G 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston MSI24D4D4S8MB-8 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Apacer Technology 78.C2GFP.C700B 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMW128GX4M4E3200C16 32GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Avant Technology J642GU42J9266NF 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Corsair CMT64GX4M8C3200C16 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Corsair CM4X4GF2400C16S2 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FN 16GB
Kingston KF548C38-16 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3A1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link