RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
Сравнить
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
15.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,622.0
10.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
77
Около -185% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
77
27
Скорость чтения, Гб/сек
3,405.2
15.2
Скорость записи, Гб/сек
2,622.0
10.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
763
2764
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N-UH 16GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston KF560C40-16 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3400C16 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9965662-012.A01G 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
SK Hynix HMA84GL7AFR4N-UH 32GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FD1 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Samsung M378A4G43AB2-CVF 32GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C14 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Kingston HP24D4R7D4MAM-32 32GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48HA-24RF 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link