RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
Сравнить
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
18.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,622.0
15.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
77
Около -250% меньшая задержка
Выше пропускная способность
21300
5300
Около 4.02 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
77
22
Скорость чтения, Гб/сек
3,405.2
18.2
Скорость записи, Гб/сек
2,622.0
15.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
21300
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
763
3515
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB Сравнения RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMR32GX4M2F3600C18 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CM4B8G1J2800K14K 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
SK Hynix GKE160SO102408-2400 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Essencore Limited KD48GS88A-26N1600 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Apacer Technology D12.2344DT.001 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 99U5624-003.A00G 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C14M 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMW16GX4M2A2666C16 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMK16GX4M2D2666C16 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FRS 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C19 Series 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 9905663-008.A00G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link