Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB против Kingmax Semiconductor GSJF62F-DA---------- 4GB

-->

Средняя оценка

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Средняя оценка

Kingmax Semiconductor GSJF62F-DA---------- 4GB

Kingmax Semiconductor GSJF62F-DA---------- 4GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Причины выбрать
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

77 95

Около 19% меньшая задержка
Выше скорость чтения

3 14.4

Среднее значение в тестах

Kingmax Semiconductor GSJF62F-DA---------- 4GB

Причины выбрать
Kingmax Semiconductor GSJF62F-DA---------- 4GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость записи

6.4 2,622.0

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

17000 5300

Около 3.21 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Kingmax Semiconductor GSJF62F-DA---------- 4GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

77 95
Скорость чтения, Гб/сек

3,405.2 14.4
Скорость записи, Гб/сек

2,622.0 6.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек

5300 17000

Other

Описание

PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 667 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

763 1450

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

AMD R538G1601U2S 8GB

AMD R538G1601U2S 8GB

G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB

G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB

модули RAM

Kingston KVR16N11/8-SP 8GB

Kingston KVR16N11/8-SP 8GB

Kingston 9905678-027.A00G 8GB

Kingston 9905678-027.A00G 8GB

модули RAM

Apacer Technology 76.C102G.D170B 8GB

Apacer Technology 76.C102G.D170B 8GB

модули RAM

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Corsair CMR32GX4M4C3000C16 8GB

Corsair CMR32GX4M4C3000C16 8GB

модули RAM

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Corsair CMG64GX4M2D3600C18 32GB

Corsair CMG64GX4M2D3600C18 32GB

модули RAM

Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB

Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB

Kingston 9905712-034.A00G 16GB

Kingston 9905712-034.A00G 16GB

модули RAM

SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB

SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB

Avant Technology J642GU44J2320ND 16GB

Avant Technology J642GU44J2320ND 16GB

модули RAM

Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB

Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB

Avant Technology J642GU42J9266NF 16GB

Avant Technology J642GU42J9266NF 16GB

модули RAM

G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB

G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB

Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB

Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB

модули RAM

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

Crucial Technology BL16G36C16U4R.M16FE1 16GB

Crucial Technology BL16G36C16U4R.M16FE1 16GB

модули RAM

Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB

Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB

SK Hynix HMA82GR7AFR4N-TF 16GB

SK Hynix HMA82GR7AFR4N-TF 16GB

модули RAM

G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB

G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB

SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB

SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB

модули RAM

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB

SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB

модули RAM

Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB

Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB

G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB

G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB

модули RAM