RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingmax Semiconductor GSLF62F-D8---------- 4GB
Сравнить
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB против Kingmax Semiconductor GSLF62F-D8---------- 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Средняя оценка
Kingmax Semiconductor GSLF62F-D8---------- 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
77
99
Около 22% меньшая задержка
Выше скорость чтения
3
13.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Kingmax Semiconductor GSLF62F-D8---------- 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
6.3
2,622.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingmax Semiconductor GSLF62F-D8---------- 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
77
99
Скорость чтения, Гб/сек
3,405.2
13.1
Скорость записи, Гб/сек
2,622.0
6.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
763
1358
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Kingmax Semiconductor GSLF62F-D8---------- 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Kingston 9965600-023.A00G 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Corsair CMU32GX4M2A2400C14 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002 32GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVRB 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Kingston HP24D4U7S8MD-8 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Asgard VMA44UI-MEC1U2AW2 32GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Apacer Technology D22.2221ZA.001 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8ET 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMK16GX4M1A2666C16 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Jinyu CL16-16-16 D4-2400 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15/8G 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Crucial Technology BL8G36C16U4BL.M8FE1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link