RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905678-024.A00G 4GB
Сравнить
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB против Kingston 9905678-024.A00G 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Средняя оценка
Kingston 9905678-024.A00G 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
15.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,622.0
10.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Kingston 9905678-024.A00G 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
77
Около -166% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905678-024.A00G 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
77
29
Скорость чтения, Гб/сек
3,405.2
15.7
Скорость записи, Гб/сек
2,622.0
10.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
763
2365
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Kingston 9905678-024.A00G 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMK8GX4M2A2800C16 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMD16GX4M4B2133C10 4GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FD 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C15 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905744-077.A00G 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Corsair CM4X16GE2400C14K4 16GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Kingston XRMWRN-HYA 16GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FRS 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link