Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB против Kingston 9905702-019.A00G 8GB

-->

Средняя оценка

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Средняя оценка

Kingston 9905702-019.A00G 8GB

Kingston 9905702-019.A00G 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Причины выбрать
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

77 87

Около 11% меньшая задержка
Выше скорость чтения

3 12.6

Среднее значение в тестах

Kingston 9905702-019.A00G 8GB

Причины выбрать
Kingston 9905702-019.A00G 8GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость записи

9.8 2,622.0

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

21300 5300

Около 4.02 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Kingston 9905702-019.A00G 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

77 87
Скорость чтения, Гб/сек

3,405.2 12.6
Скорость записи, Гб/сек

2,622.0 9.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек

5300 21300

Other

Описание

PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 667 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

763 1849

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB

Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB

Corsair CMD16GX4M4B2133C10 4GB

Corsair CMD16GX4M4B2133C10 4GB

модули RAM

A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB

A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB

Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB

Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB

модули RAM

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Mushkin 99[2/7/4]191[F/T] 4GB

Mushkin 99[2/7/4]191[F/T] 4GB

модули RAM

Kingston KVT8FP-HYC 4GB

Kingston KVT8FP-HYC 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266682 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266682 8GB

модули RAM

Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB

Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB

G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB

G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB

модули RAM

Kingston 99U5403-036.A00G 4GB

Kingston 99U5403-036.A00G 4GB

SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB

SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB

Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB

Corsair CM4X16GC3000C16K4D 16GB

Corsair CM4X16GC3000C16K4D 16GB

модули RAM

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB

Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB

модули RAM

SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB

SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB

Kingston 9965669-005.A01G 16GB

Kingston 9965669-005.A01G 16GB

модули RAM

Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB

Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2400 8GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2400 8GB

модули RAM

Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB

Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB

SK Hynix HMA82GR7AFR4N-VK 16GB

SK Hynix HMA82GR7AFR4N-VK 16GB

модули RAM

Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB

Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB

G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB

G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB

модули RAM

AMD R538G1601U2S 8GB

AMD R538G1601U2S 8GB

A-DATA Technology DDR4 3600 8GB

A-DATA Technology DDR4 3600 8GB

модули RAM

Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB

Crucial Technology BLS16G4D26BFST.16FD 16GB

Crucial Technology BLS16G4D26BFST.16FD 16GB

модули RAM