RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905712-008.A00G 16GB
Сравнить
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB против Kingston 9905712-008.A00G 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Средняя оценка
Kingston 9905712-008.A00G 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,622.0
12.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Kingston 9905712-008.A00G 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
77
Около -196% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905712-008.A00G 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
77
26
Скорость чтения, Гб/сек
3,405.2
16.0
Скорость записи, Гб/сек
2,622.0
12.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
763
2833
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Kingston 9905712-008.A00G 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905712-008.A00G 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTZRC 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD2 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Mushkin MRA4S320GJJM32G 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology 78.C1GMM.BAC0B 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.16FE 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.C1GMM.DFW0C 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston KHX2666C16/16G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link