RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston KF3600C17D4/8GX 8GB
Сравнить
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB против Kingston KF3600C17D4/8GX 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Средняя оценка
Kingston KF3600C17D4/8GX 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
20.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,622.0
15.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Kingston KF3600C17D4/8GX 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
32
77
Около -141% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston KF3600C17D4/8GX 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
77
32
Скорость чтения, Гб/сек
3,405.2
20.4
Скорость записи, Гб/сек
2,622.0
15.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
763
3483
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Kingston KF3600C17D4/8GX 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G320081 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662S 16GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FE 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Avant Technology J644GU44J1293NF 32GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRK 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FHP 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link