RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston KHX2666C16S4/16G 16GB
Сравнить
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB против Kingston KHX2666C16S4/16G 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Средняя оценка
Kingston KHX2666C16S4/16G 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
16.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,622.0
12.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Kingston KHX2666C16S4/16G 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
33
77
Около -133% меньшая задержка
Выше пропускная способность
21300
5300
Около 4.02 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston KHX2666C16S4/16G 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
77
33
Скорость чтения, Гб/сек
3,405.2
16.3
Скорость записи, Гб/сек
2,622.0
12.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
21300
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
763
3137
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Kingston KHX2666C16S4/16G 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FB 8GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Avant Technology W6451U66J5213ND 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Asgard VMA44UI-MEC1U2AW2 32GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FE 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMT16GX4M2K4266C19 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBD 16GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston HP24D4U7S8MBP-8 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston RB24D4U7S8MB-8 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G26662 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMR16GX4M2C3466C16 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YH9 8GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link