RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston KHX4800C19D4/8GX 8GB
Сравнить
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB против Kingston KHX4800C19D4/8GX 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Средняя оценка
Kingston KHX4800C19D4/8GX 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
18.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,622.0
17.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Kingston KHX4800C19D4/8GX 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
77
Около -208% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston KHX4800C19D4/8GX 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
77
25
Скорость чтения, Гб/сек
3,405.2
18.2
Скорость записи, Гб/сек
2,622.0
17.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
763
3848
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Kingston KHX4800C19D4/8GX 8GB Сравнения RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZR 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GVK 16GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Corsair CMK64GX4M4B3600C18 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BUYS 4GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FG 4GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Essencore Limited KD48GU88A-26N1600 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBR 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FHD 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link