RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston RB26D4U9D8MEH-16 16GB
Сравнить
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB против Kingston RB26D4U9D8MEH-16 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Средняя оценка
Kingston RB26D4U9D8MEH-16 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
17
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,622.0
15.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Kingston RB26D4U9D8MEH-16 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
77
Около -148% меньшая задержка
Выше пропускная способность
21300
5300
Около 4.02 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston RB26D4U9D8MEH-16 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
77
31
Скорость чтения, Гб/сек
3,405.2
17.0
Скорость записи, Гб/сек
2,622.0
15.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
21300
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
763
3509
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Kingston RB26D4U9D8MEH-16 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston RB26D4U9D8MEH-16 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRS 32GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Kingston 9905700-053.A00G 8GB
Apacer Technology D12.2356WS.001 8GB
Apacer Technology 76.C102G.D170B 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology CB16GU2666.C8ET 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Good Wealth Technology Ltd. KETECH 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link