RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
Сравнить
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB против Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Средняя оценка
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
16.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,622.0
14.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
44
77
Около -75% меньшая задержка
Выше пропускная способность
25600
5300
Около 4.83 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
77
44
Скорость чтения, Гб/сек
3,405.2
16.6
Скорость записи, Гб/сек
2,622.0
14.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
25600
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
763
3146
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVR 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FHP 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GIS 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVR 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD2 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Ramaxel Technology RMSA3340MB88HBF-3200 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GIS 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260MB78HAF2400 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link