RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
Сравнить
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB против Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Средняя оценка
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
15.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,622.0
11.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
36
77
Около -114% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
77
36
Скорость чтения, Гб/сек
3,405.2
15.4
Скорость записи, Гб/сек
2,622.0
11.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
763
2792
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
JUHOR JHD2666U1908JG 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMK32GX4M4K3600C16 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFX 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston MSI21D4S15HAG/8G 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBD 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Kingston KHX3200C20S4/16G 16GB
Kingston 99U5403-124.A00LF 8GB
Team Group Inc. 16GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Kingston KHX3466C17D4/16GX 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZN 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link