RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6H1 16GB
Сравнить
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB против Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6H1 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Средняя оценка
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6H1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
14.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6H1 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
33
77
Около -133% меньшая задержка
Выше скорость записи
8.8
2,622.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
5300
Около 4.02 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6H1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
77
33
Скорость чтения, Гб/сек
3,405.2
14.7
Скорость записи, Гб/сек
2,622.0
8.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
21300
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
763
2498
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6H1 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6H1 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMW64GX4M8X3600C18 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BXGSHC 8GB
Corsair CMSX8GX4M1A2400C16 8GB
Corsair CMSX8GX4M1A2666C18 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVR 8GB
Mushkin 991586 2GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
Kingston KHX2400C15S4/4G 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/8G 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Maxsun MSD416G26Q3 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link