Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB против Micron Technology AFSD416ES1P 16GB

-->

Средняя оценка

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Средняя оценка

Micron Technology AFSD416ES1P 16GB

Micron Technology AFSD416ES1P 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Причины выбрать
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

3 14.5

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

2,622.0 10.7

Среднее значение в тестах

Micron Technology AFSD416ES1P 16GB

Причины выбрать
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

25 77

Около -208% меньшая задержка
Выше пропускная способность

19200 5300

Около 3.62 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Micron Technology AFSD416ES1P 16GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

77 25
Скорость чтения, Гб/сек

3,405.2 14.5
Скорость записи, Гб/сек

2,622.0 10.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек

5300 19200

Other

Описание

PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 667 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

763 2620

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB

A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB

A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB

модули RAM

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Micron Technology AFSD416ES1P 16GB

Micron Technology AFSD416ES1P 16GB

модули RAM

Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB

Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB

Apacer Technology GD2.1527WC.001 8GB

Apacer Technology GD2.1527WC.001 8GB

модули RAM

Kingston 9965525-018.A00LF 4GB

Kingston 9965525-018.A00LF 4GB

G Skill Intl F4-3600C18-32GTRG 32GB

G Skill Intl F4-3600C18-32GTRG 32GB

модули RAM

G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB

G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB

Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD1 4GB

Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD1 4GB

модули RAM

Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB

Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB

Corsair CMK16GX4M2F4500C19 8GB

Corsair CMK16GX4M2F4500C19 8GB

модули RAM

A-DATA Technology DQVE1908 512MB

A-DATA Technology DQVE1908 512MB

Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB

Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB

модули RAM

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB

A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB

модули RAM

Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB

Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB

Kingston 9965589-017.D00G 8GB

Kingston 9965589-017.D00G 8GB

модули RAM

Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB

Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB

Mushkin MRA4S266GHHF32G 32GB

Mushkin MRA4S266GHHF32G 32GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

Corsair CMW16GX4M2C3000C15 8GB

Corsair CMW16GX4M2C3000C15 8GB

модули RAM

ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB

ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB

SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB

SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB

модули RAM

Kingston HX318C10FK/4 4GB

Kingston HX318C10FK/4 4GB

G Skill Intl F4-2133C15-8GIS 8GB

G Skill Intl F4-2133C15-8GIS 8GB

модули RAM

AMD R538G1601U2S 8GB

AMD R538G1601U2S 8GB

Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB

Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB

модули RAM