RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Mushkin 99[2/7/4]199F 8GB
Сравнить
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB против Mushkin 99[2/7/4]199F 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Средняя оценка
Mushkin 99[2/7/4]199F 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
12.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,622.0
10.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Mushkin 99[2/7/4]199F 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
77
Около -185% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Mushkin 99[2/7/4]199F 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
77
27
Скорость чтения, Гб/сек
3,405.2
12.7
Скорость записи, Гб/сек
2,622.0
10.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
763
2536
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Mushkin 99[2/7/4]199F 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Mushkin 99[2/7/4]199F 8GB
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
Kingston 9905701-010.A00G 16GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Corsair CMWX8GD3600C18W2D 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE1 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GVK 32GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
INTENSO 5641160 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Corsair CMWX8GF2933Z19W8 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE1 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Kingston 9965669-008.A03G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link