RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
Сравнить
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB против Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Средняя оценка
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
16.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,622.0
13.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
32
77
Около -141% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
77
32
Скорость чтения, Гб/сек
3,405.2
16.9
Скорость записи, Гб/сек
2,622.0
13.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
763
3222
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FJ 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Crucial Technology BL16G30C15U4B.M16FE1 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Asgard VMA42UH-MEC1U2AJ2 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMW32GX4M4K4266C19 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM8G 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMK32GX4M4E4133C19 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FA 4GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZA 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2666 16GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FADG 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link