RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
Сравнить
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB против Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Средняя оценка
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
16.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,622.0
13.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
32
77
Около -141% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
77
32
Скорость чтения, Гб/сек
3,405.2
16.9
Скорость записи, Гб/сек
2,622.0
13.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
763
3222
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Kingston KTD3KX-MIB 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Transcend Information JM2666HLB-16G 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2J1 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Kingston 9905630-018.A00G 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-VK 32GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2933 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVK 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Kingston KHX2933C17S4/8G 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Corsair CMR64GX4M8C3200C16 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Corsair CMW64GX4M8C3000C15 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link