RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M393A2K40CB1-CRC 16GB
Сравнить
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB против Samsung M393A2K40CB1-CRC 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Средняя оценка
Samsung M393A2K40CB1-CRC 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
10.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M393A2K40CB1-CRC 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
45
77
Около -71% меньшая задержка
Выше скорость записи
6.5
2,622.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M393A2K40CB1-CRC 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
77
45
Скорость чтения, Гб/сек
3,405.2
10.7
Скорость записи, Гб/сек
2,622.0
6.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
763
2142
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Samsung M393A2K40CB1-CRC 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology BL32G32C16U4BL.M16FB 32GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston 9965589-008.D01G 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GTZN 32GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Kingston 9905630-052.A00G 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung M393B2G70QH0-CK0 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Kingston KHX3200C20S4/32GX 32GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3733 C17 Series 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMD128GX4M8A2666C15 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link