RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
SpecTek Incorporated 16G 2666 CL 19 16GB
Сравнить
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB против SpecTek Incorporated 16G 2666 CL 19 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Средняя оценка
SpecTek Incorporated 16G 2666 CL 19 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
12.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
SpecTek Incorporated 16G 2666 CL 19 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
75
77
Около -3% меньшая задержка
Выше скорость записи
6.6
2,622.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
5300
Около 4.02 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
SpecTek Incorporated 16G 2666 CL 19 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
77
75
Скорость чтения, Гб/сек
3,405.2
12.7
Скорость записи, Гб/сек
2,622.0
6.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
21300
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
763
1640
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
SpecTek Incorporated 16G 2666 CL 19 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
SpecTek Incorporated 16G 2666 CL 19 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C18 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Panram International Corporation M424051 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZ 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GVR 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FD1 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Kingston KF3000C16D4/32GX 32GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD2 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 9965589-006.E00G 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Avant Technology J641GU42J9266NL 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266641 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link