RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Super Talent F24EA8GS 8GB
Сравнить
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB против Super Talent F24EA8GS 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Средняя оценка
Super Talent F24EA8GS 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
77
92
Около 16% меньшая задержка
Выше скорость чтения
3
11.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Super Talent F24EA8GS 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
9.7
2,622.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Super Talent F24EA8GS 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
77
92
Скорость чтения, Гб/сек
3,405.2
11.6
Скорость записи, Гб/сек
2,622.0
9.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 13 14 15 16 17
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
763
1776
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Super Talent F24EA8GS 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BZPS 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO10240
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16S/8G 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Crucial Technology BL8G26C16S4B.8FD 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVK 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Apacer Technology D12.2356WS.001 8GB
Kingston HP687515-H66-MCN 4GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO432F82-3200E 32GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMU32GX4M4C3466C16 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Apacer Technology 78.C2GFA.AF30B 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link