RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Сравнить
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB против Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Средняя оценка
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
16.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,622.0
13.0
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
77
Около -235% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
77
23
Скорость чтения, Гб/сек
3,405.2
16.6
Скорость записи, Гб/сек
2,622.0
13.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
763
2548
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB Сравнения RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Corsair CMW32GX4M4C3600C18 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston KHX4000C19D4/8GX 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
ISD Technology Limited IM44GU48A30-GIIHM 4GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C16 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
V-GEN D4H16GS24A8 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kingston ACR24D4S7D8MB-16 16GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GRS 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M16FE 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston KHX2400C12D4/16GX 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Golden Empire CL14-14-14 D4-2400 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link