RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Сравнить
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB против Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Средняя оценка
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
11.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
32
77
Около -141% меньшая задержка
Выше скорость записи
9.2
2,622.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
77
32
Скорость чтения, Гб/сек
3,405.2
11.1
Скорость записи, Гб/сек
2,622.0
9.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
763
2386
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRS 4GB
Kingston HP16D3LS1KBG/8G 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRS 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Avant Technology W6451U67J7240NB 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMR32GX4M4C3600C18 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3600C18 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMR16GX4M2Z2933C16 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-UH 32GB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link