RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
Сравнить
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB против Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Средняя оценка
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
11.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
77
Около -185% меньшая задержка
Выше скорость записи
6.0
2,622.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
77
27
Скорость чтения, Гб/сек
3,405.2
11.1
Скорость записи, Гб/сек
2,622.0
6.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
763
1890
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMR128GX4M8X3800C19 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FE 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMK32GX4M2A2666C16 16GB
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2666 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M16FE1 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BUYS 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston 9905665-023.A00G 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link