Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB против Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB

-->

Средняя оценка

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Средняя оценка

Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB

Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Причины выбрать
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

3 11.1

Среднее значение в тестах

Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB

Причины выбрать
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

27 77

Около -185% меньшая задержка
Выше скорость записи

6.0 2,622.0

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

17000 5300

Около 3.21 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

77 27
Скорость чтения, Гб/сек

3,405.2 11.1
Скорость записи, Гб/сек

2,622.0 6.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек

5300 17000

Other

Описание

PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 667 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

763 1890

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

AMD R538G1601U2S 8GB

AMD R538G1601U2S 8GB

Apacer Technology GD2.1831WS.002 16GB

Apacer Technology GD2.1831WS.002 16GB

модули RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB

Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB

модули RAM

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Corsair CMW64GX4M4Z2933C16 16GB

Corsair CMW64GX4M4Z2933C16 16GB

модули RAM

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

Kingston HP32D4U8S8HC-8XR 8GB

Kingston HP32D4U8S8HC-8XR 8GB

модули RAM

Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB

Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB

A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB

A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB

модули RAM

SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB

SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB

Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB

Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB

модули RAM

Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB

Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB

Corsair CMK32GX4M4D3600C18 8GB

Corsair CMK32GX4M4D3600C18 8GB

модули RAM

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

Kingston 9965604-008.C00G 8GB

Kingston 9965604-008.C00G 8GB

модули RAM

Kingston HP698651-154-MCN 8GB

Kingston HP698651-154-MCN 8GB

Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FP 8GB

Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FP 8GB

модули RAM

SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB

SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB

Kingston HP32D4S2S1ME-8 8GB

Kingston HP32D4S2S1ME-8 8GB

модули RAM

G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB

G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB

Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FRS 8GB

Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FRS 8GB

модули RAM

PNY Electronics PNY 2GB

PNY Electronics PNY 2GB

Kingston KHX4266C19D4/8GX 8GB

Kingston KHX4266C19D4/8GX 8GB

модули RAM

SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB

SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB

Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FH 8GB

Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FH 8GB

модули RAM

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB

Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB

модули RAM