RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Apacer Technology 78.C1GMM.BAC0B 8GB
Сравнить
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB против Apacer Technology 78.C1GMM.BAC0B 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Средняя оценка
Apacer Technology 78.C1GMM.BAC0B 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
36
81
Около 56% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15
13.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.3
7.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Apacer Technology 78.C1GMM.BAC0B 8GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Apacer Technology 78.C1GMM.BAC0B 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
36
81
Скорость чтения, Гб/сек
15.0
13.9
Скорость записи, Гб/сек
10.3
7.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
17000
19200
Other
Описание
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2569
1554
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology 78.C1GMM.BAC0B 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Kingston XW21KG-MIE2 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZ 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
Corsair CM2X2048-6400C5 2GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN26-SE 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Kingston 9905678-102.A00G 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston X3XCFP-HYA 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRK 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GFX 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston 9965600-033.A00G 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston 9965589-031.D01G 2GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link