RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
Сравнить
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB против Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Средняя оценка
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
36
44
Около 18% меньшая задержка
Причины выбрать
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.6
15
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.2
10.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
17000
Около 1.51 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
36
44
Скорость чтения, Гб/сек
15.0
16.6
Скорость записи, Гб/сек
10.3
14.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
17000
25600
Other
Описание
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Тайминги / частота
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2569
3146
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMT64GX4M4Z3600C18 16GB
Corsair VS2GB1333D4 2GB
Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Corsair CMK16GX4M2Z2400C16 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston XF875V-MIH 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2400 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston MSISID4S9S8ME-8 8GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FR 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link