RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD3-2400 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Сравнить
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD3-2400 8GB против Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
-->
Средняя оценка
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD3-2400 8GB
Средняя оценка
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD3-2400 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
40
Около 25% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.7
13.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
11.3
11.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD3-2400 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
30
40
Скорость чтения, Гб/сек
17.7
13.4
Скорость записи, Гб/сек
11.1
11.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2900
2362
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD3-2400 8GB Сравнения RAM
Team Group Inc. Dark-2400 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/4G 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CMU16GX4M2C3000C15 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FARG 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston 9905624-023.A00G 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBD 16GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Corsair CMK32GX4M4B3200C14 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M386A8K40BMB-CPB 64GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FAD 16GB
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3000C15 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHA0 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.8FE 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FR 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link