RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Сравнить
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB против Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Средняя оценка
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
10.3
7.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
21
36
Около -71% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.2
15
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
17000
Около 1.25 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
36
21
Скорость чтения, Гб/сек
15.0
16.2
Скорость записи, Гб/сек
10.3
7.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
17000
21300
Other
Описание
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 25
Тайминги / частота
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2569
2337
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-XN 32GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Kingston 9965690-002.A00G 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.16FB 32GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3200C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8G
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 9905625-074.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston 9905700-097.A00G 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
ISD Technology Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFX 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link