RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Сравнить
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB против Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Средняя оценка
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
36
46
Около 22% меньшая задержка
Причины выбрать
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16
15
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.4
10.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
17000
Около 1.51 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
36
46
Скорость чтения, Гб/сек
15.0
16.0
Скорость записи, Гб/сек
10.3
12.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
17000
25600
Other
Описание
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Тайминги / частота
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2569
2660
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMD32GX4M2B2800C14 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
A-DATA Technology AM1P24HC4R1-BUNS 4GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Samsung M393A2G40DB0-CPB 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Apacer Technology 78.CAGNT.4050B 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Panram International Corporation W4U2400PS-8G 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston KHX2933C17S4/16G 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Essencore Limited KD4AGS88A-26N1600 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Transcend Information TS2GLH64V1B 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Corsair CMT32GX4M4C3200C16 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Smart Modular SF4642G8CK8I8HLSBG 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link