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Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
比较
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
总分
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
总分
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
36
46
左右 22% 更低的延时
需要考虑的原因
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16
15
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.4
10.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
17000
左右 1.51 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
36
46
读取速度,GB/s
15.0
16.0
写入速度,GB/s
10.3
12.4
内存带宽,mbps
17000
25600
Other
描述
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2569
2660
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMW16GX4M2K4266C19 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190A 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESCK.M8FE 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston KYXC0V-MIH 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Apacer Technology 78.C1GMM.BAC0B 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BZ4SHD 8GB
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