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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESCK.M8FE 8GB
比较
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Crucial Technology BLS8G4D30AESCK.M8FE 8GB
总分
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
总分
Crucial Technology BLS8G4D30AESCK.M8FE 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
18.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
870.4
14.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS8G4D30AESCK.M8FE 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
87
左右 -222% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
5300
左右 3.62 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESCK.M8FE 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
87
27
读取速度,GB/s
3,155.6
18.1
写入速度,GB/s
870.4
14.3
内存带宽,mbps
5300
19200
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
417
3418
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Corsair CMU64GX4M4A2666C16 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16G
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingmax Semiconductor GLLH23F-18KIIP------ 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Kingston KF3200C18D4/8G 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Kingston 99U5624-003.A00G 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 9905598-006.A00G 8GB
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