RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Сравнить
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB против Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Средняя оценка
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
36
72
Около 50% меньшая задержка
Выше скорость записи
10.3
8.0
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.3
15
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
36
72
Скорость чтения, Гб/сек
15.0
15.3
Скорость записи, Гб/сек
10.3
8.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
17000
19200
Other
Описание
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2569
1593
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB Сравнения RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMD64GX4M8A2400C14 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBD 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVKA 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMK16GX4M1A2400C14 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston 9905625-142.A00G 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKW 16GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M8FB1 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston KHX2400C15D4/4G 4GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link