RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/8G 8GB
Сравнить
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB против Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/8G 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Средняя оценка
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/8G 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/8G 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
36
Около -29% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.2
15
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.6
10.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
17000
Около 1.25 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/8G 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
36
28
Скорость чтения, Гб/сек
15.0
18.2
Скорость записи, Гб/сек
10.3
13.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
17000
21300
Other
Описание
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2569
3143
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/8G 8GB Сравнения RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSW 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Corsair CMU32GX4M2A2666C16 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CM4X8GE2400C16K4 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston KHX2400C14/16G 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Kingston XW21KG-MIE2 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CMT16GX4M2C3000C15 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston KMKYF9-MID 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Corsair CMK64GX4M2A2400C16 32GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRBB 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-16 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link