RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Avant Technology J641GU42J5213N0 8GB
Сравнить
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB против Avant Technology J641GU42J5213N0 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Средняя оценка
Avant Technology J641GU42J5213N0 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.6
14.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.0
9.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
17000
Около 1.51% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Avant Technology J641GU42J5213N0 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
33
Около -27% меньшая задержка
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Avant Technology J641GU42J5213N0 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
33
26
Скорость чтения, Гб/сек
17.6
14.4
Скорость записи, Гб/сек
12.0
9.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
17000
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2910
2394
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Avant Technology J641GU42J5213N0 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Avant Technology J641GU42J5213N0 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZN 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
SK Hynix HMA81GU6MFR8N-UH 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBR 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-VK 32GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston KHX2666C15D4/8G 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
AMD R744G2400U1S 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Corsair CMK32GX4M2A2400C16 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C15 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston 99U5625-015.A00G 16GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GVK 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link