RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
Сравнить
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB против Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Средняя оценка
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
33
36
Около 8% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.6
16.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
13.9
12.0
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
33
36
Скорость чтения, Гб/сек
17.6
16.3
Скорость записи, Гб/сек
12.0
13.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
19200
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2910
3044
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB Сравнения RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZKW 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M8FB1 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2133C15 4GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Kingston KHX2133C13S4/8G 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Avant Technology W641GU42J7240NC 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston 9905712-008.A00G 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRGB 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Kingston 9905734-022.A00G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link